IRLIZ34NPｂFは 第5世代 HEXFETで、先進的なプロセス技術を採用することで、シリコン面積あたりのオン抵抗を非常に低く抑えています。この利点に加え、HEXFET パワーMOSFET が従来から持つ高速スイッチング性能と堅牢なデバイス設計により、幅広い用途で使用できる、極めて高効率かつ信頼性の高いデバイスを設計者に提供します。 特徴 ・Logic –Level Gate Drive ・ Advanced Process Technology ・ Isolated Package ・ High Voltage Isolation = 2.5KVRMS ・ Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm ・ Fully Avalanche Rated ・ Lead-Free • VDSS：55 V • rDS(ON) (max)：35 mΩ • ID：22 A メーカ：　　　インフィニオン(International Rectifier) パッケージ：　 TO-220 包装：　　　　バラ 販売単位：　　1個 ※ディスコン品のようですが、メーカHPでは、まだ普通に出てきます（26/3現在）。 データシートはこちら https://drive.google.com/file/d/1D6DvvolsmYNnFfCXNamn9VtOqbLNRC_0/view?usp=sharing 2-7