高速度電力スイッチング用 N チャネルパワーMOS FET 特徴 • 4 V 駆動 • VDSS：60 V • rDS(ON) (max)：14 mΩ • ID：50 A • 内蔵ダイオード逆回復時間(標準)：50 ns メーカ：　　　ルネサス(Renesas) パッケージ：　TO-220外形に見えますがデータシートにはTO-220とは書いていないので、詳細はデータシートを参照ください。 包装：　　　　バラ 販売単位：　　1個 ※ディスコン品のようです。 データシートはこちら https://drive.google.com/file/d/1B4S6poWcdwUvy7hgtALz6xe2ArgUQ6nu/view?usp=sharing 2-7